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貼片電容的靜電容量測(cè)量方法
2022-02-10 14:01:47
1. 測(cè)量?jī)x器
一般使用LCR測(cè)試儀測(cè)量陶瓷電容器的靜電容量。
LCR測(cè)試儀
2. 測(cè)量原理
LCR測(cè)試儀的代表性測(cè)量方法如圖所示，為自平衡電橋法。其原理如下。
DUT為Device Under Test的縮寫，指測(cè)量對(duì)象。高增益放大器會(huì)自動(dòng)調(diào)整增益，使通過電阻R的電流與通過DUT的電流相等，DUT 的低電位側(cè)(圖中L一側(cè))一直處于虛擬接地(電位=0)狀態(tài)。此時(shí)的輸入電壓Ｅ1及輸出電壓Ｅ2能測(cè)出相位角，如下所示。
E1＝|E1|∠θ1＝|E1|cosθ1+ｊ|E1|sinθ1
E2＝|E2|∠θ2＝|E2|cosθ2+ｊ|E2|sinθ2
通過這些數(shù)據(jù)與反饋電阻Ｒ，求出DUT的阻抗Zx。
Zx＝R?E1/E2
＝R?|E1/E2|?{cos(θ1-θ2)+ｊsin(θ1-θ2)}
其實(shí)部為Rx、虛部為Xx，求得的Xx通過Xx=ｊ/ωCx可以計(jì)算出DUT的靜電容量Cx。
在對(duì)陶瓷電容器的靜電容量進(jìn)行測(cè)量時(shí)，必須在規(guī)格書等相關(guān)資料上記載的正確測(cè)量條件下進(jìn)行。需要注意的是由于電容標(biāo)稱值等的不同其條件也有所區(qū)別。這里所說的條件，主要是指測(cè)量前的熱處理、測(cè)量電壓、測(cè)量頻率數(shù)。
另外，由于實(shí)際上包括測(cè)量電纜在內(nèi)的測(cè)量端子的殘余阻抗和導(dǎo)納成分會(huì)影響測(cè)量結(jié)果，因此需要對(duì)測(cè)量端子進(jìn)行補(bǔ)正。由于測(cè)量端子的補(bǔ)正是使用對(duì)端子頭直接接觸DUT的部分為止的值進(jìn)行測(cè)量并將其阻抗等成分從測(cè)量結(jié)果中減除的方法，因此需要預(yù)先測(cè)量出補(bǔ)正值。補(bǔ)正通常會(huì)使用短路補(bǔ)正和開路補(bǔ)正。
一般使用LCR測(cè)試儀測(cè)量陶瓷電容器的靜電容量。
LCR測(cè)試儀
LCR測(cè)試儀的外觀照片
2. 測(cè)量原理
LCR測(cè)試儀的代表性測(cè)量方法如圖所示，為自平衡電橋法。其原理如下。
DUT為Device Under Test的縮寫，指測(cè)量對(duì)象。高增益放大器會(huì)自動(dòng)調(diào)整增益，使通過電阻R的電流與通過DUT的電流相等，DUT 的低電位側(cè)(圖中L一側(cè))一直處于虛擬接地(電位=0)狀態(tài)。此時(shí)的輸入電壓Ｅ1及輸出電壓Ｅ2能測(cè)出相位角，如下所示。
E1＝|E1|∠θ1＝|E1|cosθ1+ｊ|E1|sinθ1
E2＝|E2|∠θ2＝|E2|cosθ2+ｊ|E2|sinθ2
通過這些數(shù)據(jù)與反饋電阻Ｒ，求出DUT的阻抗Zx。
Zx＝R?E1/E2
＝R?|E1/E2|?{cos(θ1-θ2)+ｊsin(θ1-θ2)}
其實(shí)部為Rx、虛部為Xx，求得的Xx通過Xx=ｊ/ωCx可以計(jì)算出DUT的靜電容量Cx。
貼片電容測(cè)量-
在對(duì)陶瓷電容器的靜電容量進(jìn)行測(cè)量時(shí)，必須在規(guī)格書等相關(guān)資料上記載的正確測(cè)量條件下進(jìn)行。需要注意的是由于電容標(biāo)稱值等的不同其條件也有所區(qū)別。這里所說的條件，主要是指測(cè)量前的熱處理、測(cè)量電壓、測(cè)量頻率數(shù)。
另外，由于實(shí)際上包括測(cè)量電纜在內(nèi)的測(cè)量端子的殘余阻抗和導(dǎo)納成分會(huì)影響測(cè)量結(jié)果，因此需要對(duì)測(cè)量端子進(jìn)行補(bǔ)正。由于測(cè)量端子的補(bǔ)正是使用對(duì)端子頭直接接觸DUT的部分為止的值進(jìn)行測(cè)量并將其阻抗等成分從測(cè)量結(jié)果中減除的方法，因此需要預(yù)先測(cè)量出補(bǔ)正值。補(bǔ)正通常會(huì)使用短路補(bǔ)正和開路補(bǔ)正。
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